Конструкция и организация микросхем и модулей памяти

В системных платах используется несколько типов микросхем памяти. Большинство из них одноразрядные, но емкость их различна.

Как правило, емкость модулей памяти кратна четырем, поскольку матрица, на основе которой создают микросхемы памяти, является квадратной. Четырехкратное увеличение емкости подразумевает увеличение количества транзисторов в четыре раза. Емкость современных модулей DIMM составляет 16-512 Мбайт.

Маркировка типичной микросхемы памяти Micron Technologies показана на рис. 6.10.

Большинство производителей микросхем памяти используют подобную маркировку. Каждый символ на корпусе микросхемы имеет свое значение: быстродействие микросхемы, выраженное в десятках наносекунд; тип микросхемы, в которой обычно зашифрована ее емкость, и т. д. Дату выпуска микросхемы иногда проставляют в виде неделя-год (двадцать первая неделя 2000 года); но иногда дату используют и в общепринятом виде. Если вам необходимо расшифровать остальные обозначения, обратитесь к производителю или в торговую фирму, имеющую дело с такими микросхемами.

Микросхемы DIMM также имеют номера, но их иногда трудно расшифровать. К сожалению, нет никакого промышленного стандарта на нумерацию этих модулей, и для расшифровки этих чисел необходимо обратиться к их изготовителям. Иногда всю необходимую информацию можно найти на модуле памяти (рис. 6.11): найдите на корпусе его номер и обратитесь на Web-узел производителя за дополнительной информацией.

Микросхемы памяти маркирование номером HY57V651620-TC10 представлены на рис. 6.11. Соответствующие технические данные можно найти на Web-узле компании Hyundai. Однако сложно сказать, кто именно создал непосредственно модуль DIMM; сначала можно предположить, что это компания Hyundai, поскольку слева находится номер HY-3U1606, однако в интерактивном каталоге компании я не нашел никаких сведений относительно этого кода. Тем не менее вывод о качестве и производительности модуля можно сделать по информации, представленной на микросхеме.

Банки памяти

Расположенные на системной плате и платах памяти микросхемы (DIP, SIMM, SIPP и DIMM) организуются в банки памяти. Иметь представление о распределении памяти между банками и их расположении на плате необходимо, например, в том случае, если вы собираетесь установить в свой компьютер дополнительную микросхему памяти.

Кроме того, диагностические программы выводят адреса байта и бита дефектной ячейки, по которым можно определить неисправный банк памяти.

Обычно разрядность банков равна разрядности шины данных процессора. Эти параметры для различных типов компьютеров приведены в табл. 6.13.

Многие современные системы комплектуются 168-контактными модулями DIMM. Без контроля четности используется 64 бит, с контролем четности - 72 бит. Такие модули используются исключительно в системах на базе процессоров Pentium и выше, в которых один рассматриваемый модуль составляет один банк памяти.

° ггтттттттт-f""! 111111111 г i п 111111 п п 1111111 fYnrri 111П111111ГIГIП1111111111111111111ГIГI ri

MT48LC8M8A2TG-75L ES

Micron Technology -I

Семейство -

4 - DRAM 46 - DDR SDRAM 48 - SDRAM 6 - Rambus®

Технология -

C - 5 В Vcc CMOS LC - 3,3 В Vdd CMOS V - 2,5 В Vdd CMOS

Номер

устройства

нет символов -K - Кбит M - Мбит G - Гбит

бит

Версии -

Буквенно-цифровой код

Коды корпуса-

DJ - SOJ

DW - SOJ (Wide)

F - FBGA (54-контактный, 4 ряда) FB - FBGA (60-контактный, 8x16) FC - FBGA (60-контактный, 11x13) FP - Flip Chip in Package FQ - Flip Chip in Sealed Package F1 - FBGA (54-контактный, 2ряда) F2 - FBGA (64-контактный, 2ряда) LG - TQFP

R - FBGA (54-контактный, 4 ряда, зеркальные контакты) R1 - FBGA (54-контактный, 2 ряда, зеркальные контакты) R2 - FBGA (64-контактный, 2 ряда, зеркальные контакты) TG - TSOP(Type II) U - mBGA®

Особые

ES - Engineering Sample MS - Mechanical Sample

Рабочая температура

Commerical (от 0o C до + 70o C) - пусто Industrial (от -40 C до + 85" C) - IT

-Параметры регенерации

L - Low Power S - Self Refresh

L Время доступа/цикла

Рис. 6.10. Маркировка типичной микросхемы памяти

Быстродействие памяти

При замене неисправного модуля или микросхемы памяти новый элемент должен быть такого же типа, а его время доступа должно быть меньше или равно времени доступа заменяемого модуля. Таким образом, заменяющий элемент может иметь и более высокое быстродействие.

Обычно проблемы возникают при использовании микросхем или модулей, не удовлетворяющих определенным (не слишком многочисленным) требованиям, например к длительности циклов регенерации. Вы можете также столкнуться с несоответствием в раз-

со

4>

Я О

сВ

Рис. 6.11. Параметры модуля памяти (код, емкость, быстродействие и др.) могут находиться на одной из его сторон

Таблица 6.13. Разрядности банков данных в различных системах

У I У 2 * У

R * М R * О я © I я © I н§1

«ей «ля ««л <S ® 2 2 <S < 2 2 ЗЗЗ

водках выводов, емкости, разрядности или конструкции. Время выборки (доступа) всегда может быть меньше, чем это необходимо (т. е. элемент может иметь более высокое быстродействие), при условии, конечно, что все остальные требования соблюдены.

При установке более быстродействующих модулей памяти производительность компьютера, как правило, не повышается, поскольку система обращается к ней с прежней частотой. Если память компьютера работает с предельным быстродействием, замена модулей может повысить его надежность.

Чтобы акцентировать внимание на проблемах синхронизации и надежности, Intel создала стандарт для высокоскоростных модулей памяти, работающих на частоте 100 и 133 МГц. Этот стандарт, называемый PC100 и PC133, поддерживается в новых наборах