работающих «на прием» составляет несколько килоом. Такого же порядка получается и входное сопротивление для ВЧ сигнала. Попытки уменьшить это сопротивление к успеху не приводят, поскольку при низком сопротивлении смесителя возрастает мощность, потребляемая от гетеродина, а это увеличивает шум смесителя. Для смесителей, работающих «на передачу», понижать их сопротивление выгодно, так как возрастает отдаваемая мощность модулированного ВЧ сигнала.

Рис. 28. Смесители на полевых транзисторах: а - однотактный; б - балансный

Особого внимания заслуживают смесители на полевых транзисторах, включенных как управляемые активные сопротивления. Схема однотактного смесителя показана на рис. 28, а, балансного - на рис. 28,6. При малых напряжениях сток-исток, независимо от его полярности, канал полевого транзистора ведет себя как обычное активное сопротивление. Значение этого сопротивления можно изменять от нескольких мегаом при запирающем напряжении на затворе до сотен ом. Таким образом, если подать гетеродинное напряжение на затвор, получится почти идеально подходящий для смесителей линейный элемент, управляемый только напряжением гетеродина (но не напряжением сигнала), что обеспечивает высокую помехоустойчивость и реальную селективность. В схеме рис. 28, а транзистор отпирается лишь положительными полуволнами гетеродинного напряжения. Если в эти моменты мгновенное напряжение сигнала также положительно, на выходе смесителя выделится постоянное положительное напряжение. При перемене фазы входного сигнала на обратную к каналу транзистора в моменты его отпирания будет приложено отрицательное напряжение, такое же напряжение будет и на выходе. При неточном совпадении частот fc и fr на выходе выделится сигнал биений, поступающий через ФНЧ в УНЧ. В смесителе хорошо работают транзисторы КП301, КП302, КПЗОЗ, КП305. Желательно выбрать тип транзистора с напряжением отсечки, близким к нулю. В противном случае правый по схеме вывод резистора R1 следует подключить к источнику смещения с напряжением, примерно равным напряжению отсечки.

К достоинствам смесителя относится очень малая мощность, потребляемая от гетеродина, поэтому последний практически не нагружается. В то же время мощность входного (модулируемого) сигнала может достигать десятков милливатт. Шумы смесителя малы, поскольку через канал транзистора протекает лишь очень слабый ток сигнала. При этом полевые транзисторы шумят немногим больше обычного активного резистора с сопротивлением, равным усредненному сопротивлению канала. Развязка входных и гетеродинных цепей определяется емкостью затвор-сток транзистора. Развязка невелика, но значительно увеличивается в балансной схеме (рис. 28, б). Здесь паразитные емкости и симметричная катушка связи L2 образуют для гетеродинного напряжения сбалансированный мост. Балансный смеситель хорошо работает и модулятором при амплитуде НЧ напряжения до 1 В, а для некоторых типов транзисторов и более [4]. Для точной балансировки модулятора целесообразно разделить цепи смещения транзисторов VI и V2 и подобрать-смещение каждого транзистора индивидуально по максимальным коэффициенту передачи и подавлению несущей. ВЧ напряжение на затворах надо выбирать не менее нескольких вольт. К недостаткам балансного смесителя относится наличие симметрирующего НЧ трансформатора 77 и работа гетеродина на частоте, близкой к частоте сигнала.

Рис. 29. Смеситель на встречноуправляемых полевых транзисторах

Попытки совместить достоинства смесителей на встречно-параллельных диодах и полевых транзисторах привели к разработке нового типа смесителя (рис. 29) [5]. Он содержит два полевых транзистора, каналы которых соединены параллельно и включены в цепь сигнала. На затворы транзисторов подано противофазное напряжение гетеродина с симметричной вторичной обмотки ВЧ трансформатора TJ. Этот смеситель не требует симметрирующего НЧ трансформатора, а частота гетеродина устанавливается вдвое ниже частоты сигнала. Развязка входных и гетеродинных цепей весьма значительна (более 60...70 дБ), во-первых, благодаря тому, что паразитные емкости затвор-сток транзисторов включены в диагонали сбалансированного моста, и, во-вторых, за счет селективных свойств входного контура, настроенного на частоту, вдвое отличающуюся от частоты гетеродина.

Работу смесителя поясняет рис. 30. На верхнем графике показано напряжение гетеродина на затворе транзистора VI, на среднем - V2. Когда напряжение на затворе превосходит напряжение отсечки иотс, проводимость канала возрастает (уменьшается его сопротивление). Поскольку напряжения на затворах противофаз-ны, проводимость G параллельно включенных каналов возрастает дважды за период гетеродинного напряжения, как показано на нижнем графике. В результате цепь сигнала замыкается дважды за период и происходит преобразование вида F = fc - 2fr.

Рис. 30. К принципу действия смесителя на встречно-управляемых полевых транзисторах

В смесителе по схеме рис. 29 хорошо работают транзисторы КП301 или им подобные с «правой» характеристикой. Канал этих транзисторов начинает проводить при напряжении на затворе около 5 В, поэтому амплитуда гетеродинного напряжения на каждой из половин вторичной обмотки трансформатора Т1 должна достигать 6...7 В. Смеситель можно собрать и на полевых транзисторах ср-n переходом, например серии КПЗОЗ. На средний вывод обмотки трансформатора в этом случае следует подать напряжение смещения около - 3 В, чтобы при отсутствии переменного напряжения гетеродина каналы транзисторов были заперты. Оптимальное напряжение гетеродина для транзисторов КПЗОЗ составляет 1,5...2В.

Практические испытания описанного смесителя в диапазоне 28 МГц подтвердили его ожидаемые высокие параметры. Чувствительность приемника прямого преобразования с этим смесителем достигала 0,25...0,3 мкВ даже без УВЧ. Подавление внедиапазонных AM сигналов превосходило 70 дБ, такого же порядка было и ослабление гетеродинного напряжения на входе приемника.

При проектировании модулятора передающей части трансивера желательно выбрать тип смесителя, способный работать при высоких уровнях сигнала. Неплохие результаты получаются со смесителями на полевых транзисторах по схемам рис. 28 и 29. Они потребляют малую мощность от гетеродина, зато позволяют подвести значительную мощность НЧ сигнала (до 30...50 мВт). Пиковая мощность модулированного DSB сигнала при этом достигает 10...30 мВт. Из распространенных транзисторов наилучшими по отдаваемой мощности оказались полевые транзисторы КП302В.

Другой перспективный модулятор - это пассивный модулятор на варикапах. Теоретически доказано, что смесители на нелинейных реактивных элементах изменяют мощность преобразуемого сигнала пропорционально гВькж, где 1*вх и 1"вых - соответственно входная и выходная частоты. Этот факт не позволяет применить смеситель на варикапах в приемнике прямого преобразования, поскольку потери преобразования были бы чрезвычайно велики. Напротив, модулятор на варикапах дает большое усиление по мощности, а требуемая для модуляции мощность НЧ сигнала оказывается чрезвычайно малой. В то же время мощность, подводимая от гетеродина, может быть значительной.

Схема балансного модулятора на варикапах показана на рис. 31. Напряжение гетеродина с симметричной обмотки ВЧ трансформатора Т1 подается на варикапы VI, V2. Начальное смещение, около - 4,5 В на каждом варикапе, подводится через резисторы R1...R3 и делитель R5...R7, подстроечным резистором R6 балансируют

модулятор. При равенстве емкостей варикапов VI и V2 ВЧ напряжение на выходе модулятора отсутствует. Модулирующий НЧ сигнал подается через развязывающую цепочку R4C4C5 так, что при положительной полуволне емкость VI увеличивается, a V2 уменьшается, при отрицательной - наоборот. Баланс моста, образованного половинами вторичной обмотки Т1 и варикапами, при этом нарушается в ту или другую сторону, и на выходе появляется модулированный DSB сигнал с подавленной несущей. Модулятор хорошо работает при уровнях ВЧ напряжения до 2... 3 В, такого же порядка должно быть и напряжение НЧ сигнала, а его мощность очень мала из-за высокого входного сопротивления модулятора. Амплитуда модулированного DSB сигнала составляет 0,5...1,5 В в зависимости от сопротивления нагрузки.

& №п £5if№% Рис. 31. Модулятор на варикапах

8..J0 X йй J

т

Рис. 32. Т-образно-мостовой модулятор на варикапе

На высокочастотных диапазонах в модуляторе можно применить варикапы с номинальной емкостью 20...40 пФ, например Д901, KB 102, на низкочастотных - варикапы с большей емкостью, например KB 104. Вообще, емкость варикапов некритична, от нее зависит, главным образом, входное и выходное сопротивление модулятора. Оно одного порядка с емкостным сопротивлением варикапов на рабочей частоте.

Модулятор можно выполнить и на одном варикапе, заменив второй подстроечным конденсатором. В этом случае целесообразнее применить Т-образную мостовую схему с несимметричными входом и выходом. Она показана на рис. 32. Данные деталей относятся к диапазону 28 МГц. Сумма входного ВЧ и модулирующего НЧ сигналов подается на Т-мост, содержащий симметричный трансформатор 77, конденсатор С4, составляющий емкость продольной ветви, и варикап VI, служащий емкостью поперечной ветви. Когда емкость варикапа равна учетверенной емкости конденсатора С4, мост сбалансирован и ВЧ напряжение на его выходе отсутствует. При воздействии модулирующего НЧ сигнала емкость варикапа изменяется, и на выходе выделяется DSB сигнал. Начальное смещение на варикапе (около 6В) устанавливается подстроечным резистором R4, он же служит и для точной балансировки модулятора. Т-мост нагружен выходным П-контуром L1C7C8, фильтрующим гармоники и согласующим модулятор с высокоомной нагрузкой (лампой или полевым транзистором). Для работы на низкоомную нагрузку емкость конденсатора С8 надо увеличить до 100...200 пФ, а индуктивность катушки L1 несколько уменьшить. Трансформатор Т1 намотан на кольце К8Х4Х2 из феррита 100НН и содержит 2X10 витков провода ПЭЛШО 0,25. Катушка L1 содержит 20 витков такого же провода, намотанных виток к витку на каркасе диаметром 6 мм.

Настройка модулятора сводится к грубой установке баланса конденсатором С4 и точной - резистором R4. Выходной контур настраивают конденсатором С7 по максимуму амплитуды DSB сигнала и минимуму искажений. При амплитуде ВЧ сигнала 1 В, НЧ сигнала 4 В и напряжении смещения 6В амплитуда DSB сигнала на выходе составила 0,35 В при подавлении несущей не хуже 30 дБ.

±880 \ (kOS

Рис. 33. Модулятор, удваивающий частоту гетеродина