приборами индикации пиковых уровней записи с выпрямителем для системы АРУЗ К157ХП1

Микросхема (рис. 14) содержит в каждом из каналов пороговый амплитудный дискриминатор, вырабатывающий сигнал, если амплитуда входного сигнала положительной полярности превышает образцовое напряжение, времязадающее устройство (с подключаемым к микросхеме внешним конденсатором) и формирователь выходных импульсов с усилителем мощности для управления внешними приборами индикации. Кроме этих устройств в состав ИС входят общие для обоих каналов: источник образцового напряжения, стабилизатор режима по постоянному току, элементы формирования сигналов для системы АРУЗ

Амплитудный дискриминатор выполнен на дифференциальной паре транзисторов VT1, VT5 (VT2, VT6). База транзистора VT1 (VT2) подключена к внутреннему источнику образцового напряжения иобр =1,25...1,35 В. Суммарный эмиттерный ток этих транзисторов определяется генератором тока на транзисторе VT3 (VT4) и равен 100 мкА. Изменение уровня входного сигнала на базе транзистора VT5 (VT6) в диапазоне от - 125 мВ до +125 мВ (эквивалентное изменение амплитудного значения напряжения сигнала на 250 мВ) приводит к переходу транзисторов дифференциальной пары из одного устойчивого состояния в другое. Расширенный диапазон входных сигналов амплитудного дискриминатора микросхемы, обеспечивающий более четкую индикацию моментов перегрузки кратковременными сигналами канала записи, достигнут включением резисторов в цепь эмиттеров дифференциальной пары. Импульс тока, возникающий в цепи коллектора транзистора VT5 (VT6) при появлении сигналов с уровнем, превышающим пороговое значение, поступает в диодное плечо первого токового отражателя, выполненного на транзисторе VT7 {VT9), а с него - через отражатель тока на транзисторах VTU, VT14 (VT12, VT15) и резисторы R15. RIO (R18, R11) - на базы нормально закрытых транзисторов VT17 (VT18) вречязадающего устройства и транзисторы VT40 (VT41) устройства формирования сигналов для системы АРУЗ.

Соотношение резисторов R8 (R9) и R16 (R17), а также конфигурация транзистора VT7 (VT9) выбраны так, что коллекторный ток транзистора VT14 (VT15) в десять раз больше коллекторного тока транзистора VT5 (VT6). Транзистор VT17 (VT18) обеспечивает дальнейшее усиление тока, необходимого для быстрой зарядки времязадающего конденсатора, включаемого между выводом 1 (7) ИС и положительным полюсом источника питания. Времязадающий конденсатор заряжается до напряжения, равного падению напряжения, создаваемого импульсом тока на резисторах R15 (RJ8) и RIO {RU), за вычетом напряжения на переходе база-эмиттер транзистора VT17 (VT18). Это напряжение для случа;, максимальной перегрузки равно приблизительно 5,3 В.

Постоянная времени зарядки равна произведению сопротивления резистора R20 (R21) на емкость (конденсатора Cl (C2). При повышении напряжения на конденсаторе до 0,7 В транзистор VT23 (VT24) дифференциальной пары формирователя выходных импульсов открывается, а транзистор VT29 (VT30) закрывается. Нагрузкой усилителя мощности, выполненного на транзисторах VT38, VT42 (VT39, VT43), является прибор световой индикации перегрузки, подключаемый к выходу 3 (4) ИС.

Источник образцового напряжения выполнен на транзисторах VT8, VT10. VT13, VT16, возбуждаемых генератором тока на транзисторах VT21, VT25 и резисторе R22. Режимы работы микросхемы по постоянному току обеспечиваются генераторами токов на транзисторах VT26, VT34, VT35 и токовыми отражателями на транзисторах VT31, VT32, VT27, VT28, VT33, VT3. VT4. Сигнал для системы АРУЗ формирует транзистор VT44, который управляется напряжением, выделяемым на резисторе R43 - нагрузке транзисторов VT40 и VT41.

DAI KtSnni

Рис. 15. Функциональная схема стабилизатора напряжения с электронным управлением и элементами генератора токов стирания и подмагничивания К157ХП2

Микросхема К157ХП2

Интегральная микросхема К157ХП2 предназначена в основном для создание генератора токов стирания и подмагничивания и стабилизатора напряжения с электронным управлением.

Функциональная схема ИС К157ХП2, совмещенная с типовой схемой включе ния, приведена на рис. 15. Микросхема включает в себя источник образцового напряжения (4) с устройством управления временем включения и выключения, усилигель сигнала рассогласования (3), регулирующий элемент (2) с токовой и тепловой защитой, выходной делитель (1) и отдельные транзисторные структуры с цепями смещения для создания генератора токов стирания и подмагничивания. Необходимое выходное напряжение стабилизатора может быть установлено как внутренним делителем, так и внешним, подключаемым к выводам 11, 6, 7 микросхемы. Допускается совместное использование делителей. При использовании внутреннего делителя могут быть установлены выходные напряжения, близкие к указанным в табл. 2. Таблица 2

С помощью внешнего делителя можно установить выходное напряжение от 1.3 до 33 В. Для нормальной работы стабилизатора входное напряжение должно превышать выходное не менее чем на 2,5 В. Время включения и выключения выходного напряжения стабилизатора определяется емкостью конденсатора, подключаемого к выводам 7 и 8 микросхемы.

При температуре окружающей среды от +25 до +70 °С рассеиваемая мощность рассчитывается по формуле

Основные электрические параметры микросхемы К157ХП2

Пределы регулирования выходного напряжения, В.......1,3...33

Выходное напряжение закрытого стабилизатора, В, не более . . 0,1

Ток холостого хода, мА.................3,2...7,0

Ток холостого хода закрытого стабилизатора, мА.......0,5...2,0

Входной ток усилителя сигнала рассогласования, мкА, не более . . 0.5 Выходной ток устройства управления временем включения, мА . 1,0 .2.6 Ток, потребляемый устройством управления временем включения, мА 1.0...2.9

Коэффициент нестабильности по напряжению, не более..... ±0.002

Коэффициент нестабильности по току, не более........±0.01

Относительный температурный коэффициент выходного напряжения, %/°С, не более..................0,05

Ток короткого замыкания, мА, не более........... 150. 45О

Параметры транзисторных структур

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при 1к = 100 мА, Ig - = = 2,5 мА, В, не более.................0,75

Напряжение насыщения база-эмиттер при !к = 100 мА, 1Б - 2,5 мА, В, не более.....................1,25

Начальный ток коллектора при R6=10 кОм, мкА, не более . , . 1.0 Предельно допустимые режимы эксплуатации

Входное напряжение, В.................4-40

Выходной ток стабилизатора, мА, не более........ 1э0

Напряжение коллектор-эмиттер транзисторных структур, В, не более 40 Напряжение эмиттер-база транзисторных структур, В, не более . . 7

Постоянный ток коллектора транзисторных структур, мА, не более 150 Рассеиваемая мощность (в диапазоне температур - 25... + 2S °С). Вт 1

Принципиальная схема микросхемы показана на рис. 16.

Источник образцового напряжения выполнен по термокомпенсированнон схеме на транзисторах VT1O, VT12, VT15, VT17 (температурный коэффициент напряжения не превышает 0,01 мВ/°С), обеспечивающей значение образцового напряжения 1,25...1,35 В, т. е. весьма близкое к напряжению энергетической зоны полупроводникового материала (1,206 В для кремния). Питание транзисторов источника обеспечивается генератором тока на транзисторах VT2, VT4, VT7 и токовым отражателем на транзисторах VTSr и VT9.

Усилитель сигнала рассогласования выполнен на транзисторах VT20, V Т27 и VT21, VT26, образующих входной дифференциальный каскад с активной нагрузкой на транзисторах VT23. VT25. Один из коллекторов транзистора VTN служит динамической нагрузкой выходного каскада усилителя сигнала рассогласования, а остальные - генераторами тока. Режим транзистора VT14 обеспечивается источником тока на транзисторах

VTI, VT3, VT6, VT8. Регулирующий транзистор VT24 управляется усилителем рассогласования через эмиттерный повторитель на транзисторе VT22.

Рис. 16. Принципиальная схема стабилизатора напряжения с электронным управ лением и элементами генератора токов стирания и подмагничивания К157ХП2

Для защиты стабилизатора от перегрузок (при превышении тока нагрузки более 200 мА) предназначены транзистор VT19 в диодном включении и резистор R12, падение напряжения на котором при перегрузке открывает диод и закрывает транзистор. Проводимость последнего уменьшается, а следовательно, уменьшаются и базовые токи транзисторов VT22 и VT24, что ведет к ограничению проходящего через них тока нагрузки.

Защита кристалла от перегрева осуществляется транзистором VT18, на базу которого подана часть образцового напряжения, недостаточная для его открывания при нормальной температуре. При повышении температуры кристалла до +165...180°С транзистор VT18 открывается и шунтирует базовую цепь транзистора VT22. Транзисторы VT29 и VT30 предназначены для построения генератора тока стирания и подмагничивания.

Микросхема К547КП1

Микросхема К547КШ предназначена для переключения аналоговых сигна лов Она содержит четыре идентичных МОП-транзистора (ключа) с индуцированным каналом р-типа Ключи имеют большое отношение сопротивлений в проводящем закрытом состоянии, хорошую изоляцию по постоянному току межд) цепями управления (затворов) и цепями коммутируемого сигнала (сток, исток) и, подобно электромеханическим реле, обеспечивают передачу сигнала в обоих направлениях

Ш к547ш

Рис. 17. Принципиальная схема четырехканального электронно го переключателя К547КП1

Открывают ключи подачей на затворы напряжения отрицательной полярно сти, которое должно превышать максимальное отрицательное напряжение ком мутируемого сигнала (на стоке или истоке) не менее чем на