|
||||||||||||||
Меню:
Главная
Форум
Литература: Программирование и ремонт Импульсные блоки питания Неисправности и замена Радиоэлектронная аппаратура Микросхема в ТА Рубрикатор ТА Кабельные линии Обмотки и изоляция Радиоаппаратура Гибкие диски часть 2 часть 3 часть 4 часть 5 Ремонт компьютера часть 2 Аналитика: Монтаж Справочник Электроника Мощные высокочастотные транзисторы 200 микросхем Полупроводники ч.1 Часть 2 Алгоритмические проблемы 500 микросхем 500 микросхем Сортировка и поиск Монады Передача сигнала Электроника Прием сигнала Телевидиние Проектирование Эвм Оптимизация Автомобильная электроника Поляковтрансиверы Форт Тензодатчик Силовые полевые транзисторы Распределение частот Резисторные и термопарные Оберон Открытые системы шифрования Удк |
[35] Примечание: Минимальное напряжение VCC во время записи или стирания флэш-памяти Минимальное значение напряжения VCC во время записи или стирания флэш-памяти должно составлять 2,7 В. Если VCC падает ниже 2,7 В во время записи или стирания, результат записи или стирания будет непредсказуемым. 5.2.Сегментация флэш-памяти Флэш-память в MSP430 разбита на сегменты. В неё может быть записан один бит, байт или слово, но сегмент - это минимальный размер флэш-памяти, который можно стереть. Три режима стирания позволяют стереть один сегмент, стереть все главные сегменты или стереть все сегменты (основные и информационные сегменты). Флэш-память разделена на основной и информационный разделы памяти. Нет никаких различий в работе основного и информационного разделов памяти. Программный код или данные могут быть расположены в любом разделе. Различие между этими двумя разделами заключается в разных размерах сегмента и различных физических адресах. Информационная память имеет два 128-байтных сегмента (в устройствах MSP430F1101 есть только один сегмент). Основная память имеет два или более 512-байтных сегмента. См. справочное руководство конкретного устройства для выяснения точной карты памяти. На рис.5.2 показана сегментация памяти на основе примера 4 кБ флэш-памяти, имеющей восемь основных сегментов и оба информационных сегмента. 5.3.Функционирование флэш-памяти Режим по умолчанию для флэш-памяти - режим чтения. В этом режиме флэш-память не может быть стерта или записана, тактовый генератор и генератор напряжения выключены - память работает подобно ПЗУ. Флэш-память MSP430 поддерживает внутрисистемное программирование (ISP) и не нуждается в использовании дополнительного внешнего напряжения. ЦПУ может программировать собственную флэш-память. Приведенные ниже режимы записи/стирания флэш-памяти выбираются битами BLKWRT, WRT, MERAS, ERASE: •запись байта/слова •запись блока •стирание сегмента •массовое стирание (стирание всех сегментов основной памяти) •полное стирание (стирание всех сегментов) Флэш-память FFFFh 4 KB + 256 byte FOOOh 10FFh 1000h 4кБ основной флэш-памяти 256 байт информационной флэш-памяти Рис. 5-2. Сегменты флэш-памяти, пример для 4кБ Чтение или запись флэш-памяти во время программирования или стирания запрещены. Если требуется выполнение программы ЦПУ в течении записи или стирания, исполняемый код должен быть помещен в ОЗУ. Любое обновление флэш может инициироваться из флэш-памяти или ОЗУ. 53.1. Тактовый генератор флэш-памяти Операции записи и стирания управляются тактовым генератором флэш-памяти, показанным на рис. 5.3. Рабочая частота f(FTG) тактового генератора FN5 ........... FNOPUC ЕМЕХ ACLK MCLK SMCLK SMCLK 00 01 10 Делитель 1-64 Тактовый генератор флэш BUSY WAIT Рис. 5-3. Блок-схема тактового генератора флэш-памяти должна лежать в диапазоне от ~ 257 кГц до ~ 476 кГц (точные данные см. в руководстве по конкретному устройству). Тактовый генератор флэш-памяти может тактироваться от ACLK, SMCLK или MCLK. Тактовый сигнал выбранного источника должен быть поделен с помощью битов FNx для обеспечения необходимых требований к частоте f(FTG). Если появляется девиация (отклонение) частоты f(FTG) от требуемого значения в ходе записи или стирания, результат записи или стирания может быть непредсказуемым или же флэш-память окажется подвергнутой ударной перегрузке сверх допустимых пределов, гарантирующих надежную работу. 532. Стирание флэш-памяти После стирания бит флэш-памяти читается как «1». Можно программировать индивидуально каждый бит, меняя его значение с «1» на «0», но перепрограммирование от «0» к «1» требует выполнения цикла стирания. Сегмент - это наименьшее количество флэш-памяти, которое можно стереть. Существует три режима стирания, которые могут быть выбраны с помощью битов ERASE и MERAS в соответствии с таблицей 5-1. Таблица 5-1. Режимы стирания
Любое стирание инициируется фиктивной записью1 в адресный диапазон, который будет стерт. Фиктивная запись запускает тактовый генератор флэш-памяти и процедуру стирания. На рис. 5.4 показан временной цикл процесса стира- Генерация напряжения программирования Операция стирания Снятие напряжения программирования Время стирания, от VCC потребляется повышенный ток -t- 5297/f t- 4819/f (полное стирание) (массовое стирание)"(FTG)> (стирание сегмента) и 1 "(FTG)I Рис. 5-4. Временная диаграмма цикла стирания 1 Имеется ввиду выполнение реальной команды записи в флэш-память любых незначащих данных для запуска процедуры стирания. |
Среды: Smalltalk80 MicroCap Local bus Bios Pci 12С ML Микроконтроллеры: Atmel Intel Holtek AVR MSP430 Microchip Книги: Емкостный датчик 500 схем для радиолюбителей часть 2 (4) Структура компьютерных программ Автоматическая коммутация Кондиционирование и вентиляция Ошибки при монтаже Схемы звуковоспроизведения Дроссели для питания Блоки питания Детекторы перемещения Теория электропривода Адаптивное управление Измерение параметров Печатная плата pcad pcb Физика цвета Управлении софтверными проектами Математический аппарат Битовые строки Микроконтроллер nios Команды управления выполнением программы Перехода от ahdl к vhdl Холодный спай Усилители hi-fi Электронные часы Сердечники из распылённого железа Анализ алгоритмов 8-разрядные КМОП Классификация МПК История Устройства автоматики Системы и сети Частотность Справочник микросхем Вторичного электропитания Типы видеомониторов Радиобиблиотека Электронные системы Бесконтекстный язык Управление техническими системами Монтаж печатных плат Работа с коммуникациями Создание библиотечного компонента Нейрокомпьютерная техника Parser Пи-регулятор ч.1 ПИ-регулятор ч.2 Обработка списков Интегральные схемы Шина ISAВ Шина PCI Прикладная криптография Нетематическое: Взрывной автогидролиз Нечеткая логика Бытовые установки (укр) Автоматизация проектирования Сбор и защита Дискретная математика Kb радиостанция Энергетика Ретро: Прием в автомобиле Управление шаговым двигателем Магнитная запись Ремонт микроволновки Дискретные системы часть 2 | ||||||||||||